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STSJ100NH3LL
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 25A PWR8SOIC
Bleifrei / RoHS-konform
Anfrage Preis & Vorlaufzeit
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 1V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±16V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- 8-SOIC-EP
- Serie
- STripFET™ III
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 3.5 mOhm @ 12.5A, 10V
- Verlustleistung (max)
- 3W (Ta), 70W (Tc)
- Verpackung
- Tape & Reel (TR)
- Verpackung / Gehäuse
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
- Andere Namen
- 497-5785-2
STSJ100NH3LL-ND
- Betriebstemperatur
- 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 4450pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 40nC @ 4.5V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 30V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 30V 100A (Tc) 3W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount 8-SOIC-EP
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 100A (Tc)
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