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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
400V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
1V @ 1A, 4A
Transistor-Typ
NPN
Supplier Device-Gehäuse
TO-220AB
Serie
-
Leistung - max
75W
Verpackung
Tube
Verpackung / Gehäuse
TO-220-3
Andere Namen
497-3149-5
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit
38 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang
-
detaillierte Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 4A 75W Through Hole TO-220AB
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
8 @ 2A, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)
1mA
Strom - Kollektor (Ic) (max)
4A

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