STFW3N150
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±30V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- ISOWATT-218FX
- Serie
- PowerMESH™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 9 Ohm @ 1.3A, 10V
- Verlustleistung (max)
- 63W (Tc)
- Verpackung
- Tube
- Verpackung / Gehäuse
- ISOWATT218FX
- Andere Namen
- 497-10005-5
- Betriebstemperatur
- 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 42 Weeks
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 939pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 29.3nC @ 10V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 1500V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 1500V 2.5A (Tc) 63W (Tc) Through Hole ISOWATT-218FX
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 2.5A (Tc)
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