STS10P4LLF6
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 1V @ 250µA (Min)
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- 8-SO
- Serie
- STripFET™ F6
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 15 mOhm @ 3A, 10V
- Verlustleistung (max)
- 2.7W (Ta)
- Verpackung
- Tape & Reel (TR)
- Verpackung / Gehäuse
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Andere Namen
- 497-15483-2
- Betriebstemperatur
- 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 3525pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 34nC @ 4.5V
- Typ FET
- P-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 40V
- detaillierte Beschreibung
- P-Channel 40V 10A (Ta) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SO
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 10A (Ta)
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