STU10P6F6
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- IPAK (TO-251)
- Serie
- DeepGATE™, STripFET™ VI
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 160 mOhm @ 5A, 10V
- Verlustleistung (max)
- 35W (Tc)
- Verpackung
- Tube
- Verpackung / Gehäuse
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Andere Namen
- 497-13884-5
- Betriebstemperatur
- 175°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 340pF @ 48V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 6.4nC @ 10V
- Typ FET
- P-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 60V
- detaillierte Beschreibung
- P-Channel 60V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 10A (Tc)
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