STW26N60M2
Anfrage Preis & Vorlaufzeit
STW26N60M2 sind verfügbar. Wir können STW26N60M2 liefern. Verwenden Sie das Angebotsformular, um STW26N60M2-Pirce und Vorlaufzeit anzufordern.Atosn.com ist ein professioneller Händler für elektronische Komponenten. Wir haben einen großen Lagerbestand und können schnell liefern. Kontaktieren Sie uns noch heute und unser Vertriebsmitarbeiter wird Ihnen den Preis und die Versanddetails auf der Teilenummer STW26N60M2 mitteilenund technisches Team, wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit Ihnen.
Angebot anfordern
Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-247 (IXFH)
- Serie
- MDmesh™ M2
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 165 mOhm @ 10A, 10V
- Verlustleistung (max)
- 169W (Tc)
- Verpackung
- Tube
- Verpackung / Gehäuse
- TO-247-3
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 42 Weeks
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 1360pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 34nC @ 10V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 600V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 600V 20A (Tc) 169W (Tc) Through Hole TO-247 (IXFH)
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 20A (Tc)
Ähnliche Produkte
- STMicroelectronics STW26N60M2
- STW26N60M2-Datenblatt
- STW26N60M2-Datenblatt
- STW26N60M2 pdf Datenblatt
- Laden Sie das STW26N60M2-Datenblatt herunter
- STW26N60M2-Bild
- STW26N60M2 Teil
- ST STW26N60M2
- STMicroelectronics STW26N60M2