STW63N65DM2
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- -
- Vgs (Max)
- -
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-247
- Serie
- FDmesh™ II Plus
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- -
- Verlustleistung (max)
- -
- Verpackung / Gehäuse
- TO-247-3
- Betriebstemperatur
- -
- Befestigungsart
- Through Hole
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 42 Weeks
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 145nC @ 100V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- -
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 650V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 650V 65A Through Hole TO-247
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 65A
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