TIP141
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Produktparameter
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
- 80V
- VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
- 3V @ 40mA, 10A
- Transistor-Typ
- NPN - Darlington
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-218
- Serie
- -
- Leistung - max
- 125W
- Verpackung
- Tube
- Verpackung / Gehäuse
- TO-218-3
- Andere Namen
- 497-2534-5
- Betriebstemperatur
- 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Frequenz - Übergang
- -
- detaillierte Beschreibung
- Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 10A 125W Through Hole TO-218
- DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
- 1000 @ 5A, 4V
- Strom - Collector Cutoff (Max)
- 2mA
- Strom - Kollektor (Ic) (max)
- 10A
- Basisteilenummer
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