TIP36A
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Produktparameter
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
- 60V
- VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
- -
- Transistor-Typ
- PNP
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-218
- Serie
- -
- Leistung - max
- 125W
- Verpackung
- Bulk
- Verpackung / Gehäuse
- TO-218-3
- Betriebstemperatur
- -65°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Frequenz - Übergang
- 3MHz
- detaillierte Beschreibung
- Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 25A 3MHz 125W Through Hole TO-218
- DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
- 10 @ 15A, 4V
- Strom - Collector Cutoff (Max)
- -
- Strom - Kollektor (Ic) (max)
- 25A
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