STB24NM65N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK
Bleifrei / RoHS-konform
Anfrage Preis & Vorlaufzeit
STB24NM65N sind verfügbar. Wir können STB24NM65N liefern. Verwenden Sie das Angebotsformular, um STB24NM65N-Pirce und Vorlaufzeit anzufordern.Atosn.com ist ein professioneller Händler für elektronische Komponenten. Wir haben einen großen Lagerbestand und können schnell liefern. Kontaktieren Sie uns noch heute und unser Vertriebsmitarbeiter wird Ihnen den Preis und die Versanddetails auf der Teilenummer STB24NM65N mitteilenund technisches Team, wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit Ihnen.
Angebot anfordern
Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- D2PAK
- Serie
- MDmesh™ II
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 190 mOhm @ 9.5A, 10V
- Verlustleistung (max)
- 160W (Tc)
- Verpackung
- Tape & Reel (TR)
- Verpackung / Gehäuse
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Andere Namen
- 497-7002-2
- Betriebstemperatur
- 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 2500pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 70nC @ 10V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 650V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 650V 19A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 19A (Tc)
Ähnliche Produkte
- STMicroelectronics STB24NM65N
- STB24NM65N-Datenblatt
- STB24NM65N-Datenblatt
- STB24NM65N pdf Datenblatt
- Laden Sie das STB24NM65N-Datenblatt herunter
- STB24NM65N-Bild
- STB24NM65N Teil
- ST STB24NM65N
- STMicroelectronics STB24NM65N