STL8DN6LF3
STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6
Bleifrei / RoHS-konform
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 3V @ 250µA
- Supplier Device-Gehäuse
- PowerFlat™ (5x6)
- Serie
- Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 30 mOhm @ 4A, 10V
- Leistung - max
- 65W
- Verpackung
- Tape & Reel (TR)
- Verpackung / Gehäuse
- 8-PowerVDFN
- Andere Namen
- 497-13169-2
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 38 Weeks
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 668pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 13nC @ 10V
- Typ FET
- 2 N-Channel (Dual)
- FET-Merkmal
- Logic Level Gate
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 60V
- detaillierte Beschreibung
- Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 65W Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 20A
- Basisteilenummer
- ST*8DN
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