STT4P3LLH6
STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
Bleifrei / RoHS-konform
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- SOT-23-6
- Serie
- DeepGATE™, STripFET™ H6
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 56 mOhm @ 2A, 10V
- Verlustleistung (max)
- 1.6W (Ta)
- Verpackung
- Cut Tape (CT)
- Verpackung / Gehäuse
- SOT-23-6
- Andere Namen
- 497-15521-1
- Betriebstemperatur
- 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 38 Weeks
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 639pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 6nC @ 4.5V
- Typ FET
- P-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 30V
- detaillierte Beschreibung
- P-Channel 30V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 4A (Ta)
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