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MJD3055T4
STMicroelectronics

MJD3055T4

STMicroelectronics
TRANS NPN 60V 10A DPAK
Bleifrei / RoHS-konform

Anfrage Preis & Vorlaufzeit

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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
60V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
8V @ 3.3A, 10A
Transistor-Typ
NPN
Supplier Device-Gehäuse
DPAK
Serie
-
Leistung - max
20W
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen
497-7854-2
MJD3055T4ST-ND
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang
2MHz
detaillierte Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 10A 2MHz 20W Surface Mount DPAK
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
20 @ 4A, 4V
Strom - Collector Cutoff (Max)
50µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)
10A
Basisteilenummer
MJD3055

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