EPC2036
EPC
TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE
Bleifrei / RoHS-konform
Anfrage Preis & Vorlaufzeit
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 600µA
- Vgs (Max)
- +6V, -4V
- Technologie
- GaNFET (Gallium Nitride)
- Supplier Device-Gehäuse
- Die
- Serie
- eGaN®
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 65 mOhm @ 1A, 5V
- Verlustleistung (max)
- -
- Verpackung
- Tape & Reel (TR)
- Verpackung / Gehäuse
- Die
- Andere Namen
- 917-1100-2
- Betriebstemperatur
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 90pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 0.91nC @ 5V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 5V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 100V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 100V 1A (Ta) Surface Mount Die
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 1A (Ta)
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