APT70SM70B
Microsemi
POWER MOSFET - SIC
Bleifrei / RoHS-konform
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 2.5V @ 1mA
- Vgs (Max)
- +25V, -10V
- Technologie
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-247 [B]
- Serie
- -
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 70 mOhm @ 32.5A, 20V
- Verlustleistung (max)
- 300W (Tc)
- Verpackung
- Bulk
- Verpackung / Gehäuse
- TO-247-3
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 125nC @ 20V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 20V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 700V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 700V 65A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 65A (Tc)
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