STL33N65M2
STMicroelectronics
N-CHANNEL 650 V, 0.124 OHM TYP.,
Bleifrei / RoHS-konform
Anfrage Preis & Vorlaufzeit
STL33N65M2 sind verfügbar. Wir können STL33N65M2 liefern. Verwenden Sie das Angebotsformular, um STL33N65M2-Pirce und Vorlaufzeit anzufordern.Atosn.com ist ein professioneller Händler für elektronische Komponenten. Wir haben einen großen Lagerbestand und können schnell liefern. Kontaktieren Sie uns noch heute und unser Vertriebsmitarbeiter wird Ihnen den Preis und die Versanddetails auf der Teilenummer STL33N65M2 mitteilenund technisches Team, wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit Ihnen.
Angebot anfordern
Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- PowerFlat™ (8x8) HV
- Serie
- MDmesh™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 154 mOhm @ 10A, 10V
- Verlustleistung (max)
- 150W (Tc)
- Verpackung
- Cut Tape (CT)
- Verpackung / Gehäuse
- 8-PowerVDFN
- Andere Namen
- 497-16939-1
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 42 Weeks
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 1790pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 41.5nC @ 10V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 650V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 650V 20A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 20A (Tc)
Ähnliche Produkte
- STMicroelectronics STL33N65M2
- STL33N65M2-Datenblatt
- STL33N65M2-Datenblatt
- STL33N65M2 pdf Datenblatt
- Laden Sie das STL33N65M2-Datenblatt herunter
- STL33N65M2-Bild
- STL33N65M2 Teil
- ST STL33N65M2
- STMicroelectronics STL33N65M2