CSD23201W10
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Bleifrei / RoHS-konform
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 1V @ 250µA
- Vgs (Max)
- -6V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- 4-DSBGA (1x1)
- Serie
- NexFET™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 82 mOhm @ 500mA, 4.5V
- Verlustleistung (max)
- 1W (Ta)
- Verpackung
- Cut Tape (CT)
- Verpackung / Gehäuse
- 4-UFBGA, DSBGA
- Andere Namen
- 296-24258-1
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 325pF @ 6V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 2.4nC @ 4.5V
- Typ FET
- P-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.5V, 4.5V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 12V
- detaillierte Beschreibung
- P-Channel 12V 2.2A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 2.2A (Tc)
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