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IRF7815TRPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
Bleifrei / RoHS-konform
Anfrage Preis & Vorlaufzeit
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 5V @ 100µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- 8-SO
- Serie
- HEXFET®
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 43 mOhm @ 3.1A, 10V
- Verlustleistung (max)
- 2.5W (Ta)
- Verpackung
- Tape & Reel (TR)
- Verpackung / Gehäuse
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Andere Namen
- IRF7815TRPBFTR
SP001551548
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 1647pF @ 75V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 38nC @ 10V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 150V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 150V 5.1A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 5.1A (Ta)
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