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STV160NF02LT4
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
Bleifrei / RoHS-konform
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 1V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±15V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- 10-PowerSO
- Serie
- STripFET™ II
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 2.5 mOhm @ 80A, 10V
- Verlustleistung (max)
- 210W (Tc)
- Verpackung
- Tape & Reel (TR)
- Verpackung / Gehäuse
- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Andere Namen
- 497-3251-2
- Betriebstemperatur
- 175°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 4800pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 160nC @ 10V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 5V, 10V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 20V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 20V 160A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 10-PowerSO
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 160A (Tc)
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