SD1127
Microsemi
TRANSISTOR BIPO TO-39
Bleifrei / RoHS-konform
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Produktparameter
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
- 18V
- Transistor-Typ
- NPN
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-39
- Serie
- -
- Leistung - max
- 8W
- Verpackung
- Bulk
- Verpackung / Gehäuse
- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Betriebstemperatur
- 200°C (TJ)
- Rauschzahl (dB Typ @ f)
- -
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Gewinnen
- 12dB
- Frequenz - Übergang
- 175MHz
- detaillierte Beschreibung
- RF Transistor NPN 18V 640mA 175MHz 8W Through Hole TO-39
- DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
- 10 @ 50mA, 5V
- Strom - Kollektor (Ic) (max)
- 640mA
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