1N5804US
Semtech
DIODE GEN PURP 100V 1.1A
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Produktparameter
- Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
- 875mV @ 1A
- Spannung - Sperr (Vr) (max)
- 100V
- Supplier Device-Gehäuse
- -
- Geschwindigkeit
- Fast Recovery = 200mA (Io)
- Serie
- -
- Rückwärts-Erholzeit (Trr)
- 25ns
- Verpackung
- Bulk
- Verpackung / Gehäuse
- SQ-MELF
- Andere Namen
- 1N5804USS
- Betriebstemperatur - Anschluss
- -
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 46 Weeks
- Diodentyp
- Standard
- detaillierte Beschreibung
- Diode Standard 100V 1.1A Surface Mount
- Strom - Sperrleckstrom @ Vr
- 1µA @ 100V
- Strom - Richt (Io)
- 1.1A
- Kapazität @ Vr, F
- 25pF @ 5V, 1MHz
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