MJE802
STMicroelectronics
TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32
Bleifrei / RoHS-konform
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Produktparameter
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
- 80V
- VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
- 3V @ 40mA, 4A
- Transistor-Typ
- NPN - Darlington
- Supplier Device-Gehäuse
- SOT-32
- Serie
- -
- Leistung - max
- 40W
- Verpackung
- Tube
- Verpackung / Gehäuse
- TO-225AA, TO-126-3
- Andere Namen
- 497-2549-5
- Betriebstemperatur
- 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Frequenz - Übergang
- -
- detaillierte Beschreibung
- Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole SOT-32
- DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
- 750 @ 1.5A, 3V
- Strom - Collector Cutoff (Max)
- 100nA
- Strom - Kollektor (Ic) (max)
- 4A
- Basisteilenummer
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