STS2DPFS20V
STMicroelectronics
MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
Bleifrei / RoHS-konform
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 600mV @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±12V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- 8-SO
- Serie
- STripFET™ II
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 200 mOhm @ 1A, 4.5V
- Verlustleistung (max)
- 2W (Tc)
- Verpackung
- Cut Tape (CT)
- Verpackung / Gehäuse
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Andere Namen
- 497-3225-1
- Betriebstemperatur
- 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 315pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 4.7nC @ 4.5V
- Typ FET
- P-Channel
- FET-Merkmal
- Schottky Diode (Isolated)
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.7V, 4.5V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 20V
- detaillierte Beschreibung
- P-Channel 20V 2.5A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SO
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 2.5A (Tc)
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