STL20N6F7
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 100A
Enthält Blei / RoHS nicht konform
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- PowerFlat™ (3.3x3.3)
- Serie
- STripFET™ F7
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 5.4 mOhm @ 10A, 10V
- Verlustleistung (max)
- 3W (Ta), 78W (Tc)
- Verpackung
- Cut Tape (CT)
- Verpackung / Gehäuse
- 8-PowerVDFN
- Andere Namen
- 497-16117-1
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 1600pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 25nC @ 10V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 60V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 60V 100A (Tc) 3W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 100A (Tc)
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