2N3019
STMicroelectronics
TRANS NPN 80V 1A TO-39
Bleifrei / RoHS-konform
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Produktparameter
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
- 80V
- VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
- 500mV @ 50mA, 500mA
- Transistor-Typ
- NPN
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-39
- Serie
- -
- Leistung - max
- 800mW
- Verpackung
- Tube
- Verpackung / Gehäuse
- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Andere Namen
- 497-2634-5
- Betriebstemperatur
- 175°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Frequenz - Übergang
- 100MHz
- detaillierte Beschreibung
- Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 100MHz 800mW Through Hole TO-39
- DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
- 100 @ 150mA, 10V
- Strom - Collector Cutoff (Max)
- 10nA (ICBO)
- Strom - Kollektor (Ic) (max)
- 1A
- Basisteilenummer
- 2N3019
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