2N4033
Microsemi
TRANS PNP 80V 1A TO-39
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Anfrage Preis & Vorlaufzeit
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Produktparameter
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
- 80V
- VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
- 1V @ 100mA, 1A
- Transistor-Typ
- PNP
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-39 (TO-205AD)
- Serie
- -
- Leistung - max
- 800mW
- Verpackung
- Bulk
- Verpackung / Gehäuse
- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 200°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 12 Weeks
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Frequenz - Übergang
- -
- detaillierte Beschreibung
- Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 1A 800mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
- DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
- 100 @ 100mA, 5V
- Strom - Collector Cutoff (Max)
- 10µA (ICBO)
- Strom - Kollektor (Ic) (max)
- 1A
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