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STQ1NK60ZR-AP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
Bleifrei / RoHS-konform
Anfrage Preis & Vorlaufzeit
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 50µA
- Vgs (Max)
- ±30V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-92-3
- Serie
- SuperMESH™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 15 Ohm @ 400mA, 10V
- Verlustleistung (max)
- 3W (Tc)
- Verpackung
- Tape & Box (TB)
- Verpackung / Gehäuse
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Andere Namen
- 497-12343-3
STQ1NK60ZRAP
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 38 Weeks
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 94pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 6.9nC @ 10V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 600V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 600V 300mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 300mA (Tc)
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