Deutsch

Sprache auswählen

EnglishRepublika e ShqipërisëالعربيةGaeilgeEesti VabariikEuskeraБеларусьБългарски езикíslenskapolskiAfrikaansDanskDeutschрусскийFrançaisPilipinoSuomiҚазақша한국의NederlandČeštinaHrvatskaLatviešulietuviųromânescMelayuMaoriবাংলা ভাষারမြန်မာKongeriketPortuguêsپښتوSvenskaCрпскиසිංහලSlovenskáSlovenijaภาษาไทยTürk diliاردوУкраїнаO'zbekespañolעִבְרִיתΕλλάδαMagyarországItaliaIndonesiaTiếng Việt

Kategorien

  1. Integrierte schaltkreise (ICS)

    Integrierte schaltkreise (ICS)

  2. Diskrete Halbleiter-Produkte
  3. Kondensatoren
  4. RF/if und RFID
  5. Widerstände
  6. Sensoren, Wandler

    Sensoren, Wandler

  7. Relais
  8. Netzteile-Board Mount
  9. Isolatoren
  10. Induktive, Spulen, Drosseln
  11. Anschlüsse, Verbindungen

    Anschlüsse, Verbindungen

  12. Circuit Protection
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > STW30NM50N
STW30NM50N
STMicroelectronics

STW30NM50N

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 27A TO-247
Bleifrei / RoHS-konform

Anfrage Preis & Vorlaufzeit

STW30NM50N sind verfügbar. Wir können STW30NM50N liefern. Verwenden Sie das Angebotsformular, um STW30NM50N-Pirce und Vorlaufzeit anzufordern.Atosn.com ist ein professioneller Händler für elektronische Komponenten. Wir haben einen großen Lagerbestand und können schnell liefern. Kontaktieren Sie uns noch heute und unser Vertriebsmitarbeiter wird Ihnen den Preis und die Versanddetails auf der Teilenummer STW30NM50N mitteilenund technisches Team, wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit Ihnen.


Angebot anfordern

  • Teil-Nr.:
  • Anzahl:
  • Zielpreis:(USD)
  • Kontaktname:
  • Ihre Email:
  • Ihr Tel:
  • Bemerkung/Erläuterung:

Produktparameter

VGS (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±25V
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse
TO-247-3
Serie
MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs
115 mOhm @ 13.5A, 10V
Verlustleistung (max)
190W (Tc)
Verpackung
Tube
Verpackung / Gehäuse
TO-247-3
Andere Namen
497-8795-5
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2740pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
94nC @ 10V
Typ FET
N-Channel
FET-Merkmal
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
detaillierte Beschreibung
N-Channel 500V 27A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
27A (Tc)

Ähnliche Produkte