STD80N6F6
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V DPAK
Bleifrei / RoHS-konform
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- DPAK
- Serie
- DeepGATE™, STripFET™ VI
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 6.5 mOhm @ 40A, 10V
- Verlustleistung (max)
- 120W (Tc)
- Verpackung
- Original-Reel®
- Verpackung / Gehäuse
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Andere Namen
- 497-13942-6
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 7480pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 122nC @ 10V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 60V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 60V 80A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount DPAK
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 80A (Tc)
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