CSD25404Q3
MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
Enthält Blei / RoHS-konform
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 1.15V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±12V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- 8-VSON (3.3x3.3)
- Serie
- NexFET™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 6.5 mOhm @ 10A, 4.5V
- Verlustleistung (max)
- 2.8W (Ta), 96W (Tc)
- Verpackung
- Cut Tape (CT)
- Verpackung / Gehäuse
- 8-PowerVDFN
- Andere Namen
- 296-47255-1
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 35 Weeks
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Contains lead / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 2120pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 14.1nC @ 4.5V
- Typ FET
- P-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.8V, 4.5V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 20V
- detaillierte Beschreibung
- P-Channel 20V 104A (Tc) 2.8W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 104A (Tc)
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