2N2896
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Produktparameter
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
- 90V
- VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
- 600mV @ 15mA, 150mA
- Transistor-Typ
- NPN
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-18
- Serie
- -
- Leistung - max
- 1.8W
- Verpackung / Gehäuse
- TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
- Andere Namen
- 2N2896MS
- Betriebstemperatur
- -
- Befestigungsart
- Through Hole
- Frequenz - Übergang
- 120MHz
- detaillierte Beschreibung
- Bipolar (BJT) Transistor NPN 90V 1A 120MHz 1.8W Through Hole TO-18
- DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
- 60 @ 150mA, 10V
- Strom - Collector Cutoff (Max)
- 10nA (ICBO)
- Strom - Kollektor (Ic) (max)
- 1A
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