2N3501UB
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Produktparameter
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
- 150V
- VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
- 400mV @ 15mA, 150mA
- Transistor-Typ
- NPN
- Supplier Device-Gehäuse
- UB
- Serie
- Military, MIL-PRF-19500/366
- Leistung - max
- 500mW
- Verpackung
- Bulk
- Verpackung / Gehäuse
- 3-SMD, No Lead
- Andere Namen
- 1086-20835
1086-20835-MIL
- Betriebstemperatur
- -65°C ~ 200°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 12 Weeks
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Frequenz - Übergang
- -
- detaillierte Beschreibung
- Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 300mA 500mW Surface Mount UB
- DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
- 100 @ 150mA, 10V
- Strom - Collector Cutoff (Max)
- 10µA (ICBO)
- Strom - Kollektor (Ic) (max)
- 300mA
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