2N5013
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Produktparameter
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
- 800V
- Transistor-Typ
- NPN
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-5
- Serie
- -
- Leistung - max
- 1W
- Verpackung / Gehäuse
- TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- Betriebstemperatur
- -65°C ~ 200°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Frequenz - Übergang
- -
- detaillierte Beschreibung
- Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 200mA 1W Through Hole TO-5
- DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
- 30 @ 20mA, 10V
- Strom - Collector Cutoff (Max)
- 10nA (ICBO)
- Strom - Kollektor (Ic) (max)
- 200mA
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