2N6770
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-3
- Serie
- -
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 500 mOhm @ 12A, 10V
- Verlustleistung (max)
- 4W (Ta), 150W (Tc)
- Verpackung
- Bulk
- Verpackung / Gehäuse
- TO-204AE
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 120nC @ 10V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 500V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 500V 12A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 12A (Tc)
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