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2SC5661T2LP
LAPIS Semiconductor

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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
20V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 20mA
Transistor-Typ
NPN
Supplier Device-Gehäuse
VMT3
Serie
-
Leistung - max
150mW
Verpackung
Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse
SOT-723
Andere Namen
2SC5661T2LPCT
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit
10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang
1.5GHz
detaillierte Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 50mA 1.5GHz 150mW Surface Mount VMT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
82 @ 10mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)
50mA
Basisteilenummer
2SC5661

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