2SC58630QL
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Produktparameter
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
- 300V
- VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
- 1.2V @ 5mA, 50mA
- Transistor-Typ
- NPN
- Supplier Device-Gehäuse
- Mini3-G1
- Serie
- -
- Leistung - max
- 200mW
- Verpackung
- Tape & Reel (TR)
- Verpackung / Gehäuse
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Andere Namen
- 2SC58630QLTR
- Betriebstemperatur
- 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Frequenz - Übergang
- 80MHz
- detaillierte Beschreibung
- Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 70mA 80MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1
- DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
- 60 @ 5mA, 10V
- Strom - Collector Cutoff (Max)
- 1µA
- Strom - Kollektor (Ic) (max)
- 70mA
- Basisteilenummer
- 2SC5863
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