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2SC5868TLR
LAPIS Semiconductor

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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
60V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Transistor-Typ
NPN
Supplier Device-Gehäuse
TSMT3
Serie
-
Leistung - max
500mW
Verpackung
Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse
SC-96
Andere Namen
2SC5868TLRCT
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang
300MHz
detaillierte Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 500mA 300MHz 500mW Surface Mount TSMT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
180 @ 50mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)
500mA
Basisteilenummer
2SC5868

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