7130LA55P
IDT (Integrated Device Technology)
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Produktparameter
- Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
- 55ns
- Spannungsversorgung
- 4.5 V ~ 5.5 V
- Technologie
- SRAM - Dual Port, Asynchronous
- Supplier Device-Gehäuse
- 48-PDIP
- Serie
- -
- Verpackung
- Tube
- Verpackung / Gehäuse
- 48-DIP (0.600", 15.24mm)
- Andere Namen
- IDT7130LA55P
IDT7130LA55P-ND
- Betriebstemperatur
- 0°C ~ 70°C (TA)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Speichertyp
- Volatile
- Speichergröße
- 8Kb (1K x 8)
- Speicherschnittstelle
- Parallel
- Speicherformat
- SRAM
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Contains lead / RoHS non-compliant
- detaillierte Beschreibung
- SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 8Kb (1K x 8) Parallel 55ns 48-PDIP
- Basisteilenummer
- IDT7130
- Zugriffszeit
- 55ns
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