1N5620
Microsemi
DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
Enthält Blei / RoHS nicht konform
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Produktparameter
- Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
- 1.3V @ 3A
- Spannung - Sperr (Vr) (max)
- 800V
- Geschwindigkeit
- Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Serie
- -
- Rückwärts-Erholzeit (Trr)
- 2µs
- Verpackung
- Bulk
- Verpackung / Gehäuse
- A, Axial
- Betriebstemperatur - Anschluss
- -65°C ~ 200°C
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 7 Weeks
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Diodentyp
- Standard
- detaillierte Beschreibung
- Diode Standard 800V 1A Through Hole
- Strom - Sperrleckstrom @ Vr
- 500nA @ 800V
- Strom - Richt (Io)
- 1A
- Kapazität @ Vr, F
- -
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