
1014-6A
Microsemi
TRANS RF BIPO 19W 1A 55LV1
Bleifrei / RoHS-konform
Anfrage Preis & Vorlaufzeit
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Produktparameter
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
- 50V
- Transistor-Typ
- NPN
- Supplier Device-Gehäuse
- 55LV
- Serie
- -
- Leistung - max
- 19W
- Verpackung
- Bulk
- Verpackung / Gehäuse
- 55LV
- Betriebstemperatur
- 200°C (TJ)
- Rauschzahl (dB Typ @ f)
- -
- Befestigungsart
- Chassis Mount
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 32 Weeks
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Gewinnen
- 7dB ~ 7.5dB
- Frequenz - Übergang
- 1GHz ~ 1.4GHz
- detaillierte Beschreibung
- RF Transistor NPN 50V 1A 1GHz ~ 1.4GHz 19W Chassis Mount 55LV
- DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
- -
- Strom - Kollektor (Ic) (max)
- 1A
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