APL502LG
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 4V @ 2.5mA
- Vgs (Max)
- ±30V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-264 [L]
- Serie
- -
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 90 mOhm @ 29A, 12V
- Verlustleistung (max)
- 730W (Tc)
- Verpackung
- Tube
- Verpackung / Gehäuse
- TO-264-3, TO-264AA
- Andere Namen
- APL502LGMI
APL502LGMI-ND
APL502LGQ
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 24 Weeks
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 9000pF @ 25V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 15V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 500V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 500V 58A (Tc) 730W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 58A (Tc)
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