APT18M80B
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 5V @ 1mA
- Vgs (Max)
- ±30V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-247 [B]
- Serie
- POWER MOS 8™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 530 mOhm @ 9A, 10V
- Verlustleistung (max)
- 500W (Tc)
- Verpackung
- Tube
- Verpackung / Gehäuse
- TO-247-3
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 8 Weeks
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 3760pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 120nC @ 10V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 800V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 800V 19A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 19A (Tc)
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