BD135-16
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Produktparameter
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
- 45V
- VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
- 500mV @ 50mA, 500mA
- Transistor-Typ
- NPN
- Supplier Device-Gehäuse
- SOT-32
- Serie
- -
- Leistung - max
- 1.25W
- Verpackung
- Tube
- Verpackung / Gehäuse
- TO-225AA, TO-126-3
- Betriebstemperatur
- 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 38 Weeks
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Frequenz - Übergang
- -
- detaillierte Beschreibung
- Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 1.5A 1.25W Through Hole SOT-32
- DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
- 40 @ 150mA, 2V
- Strom - Collector Cutoff (Max)
- 100nA (ICBO)
- Strom - Kollektor (Ic) (max)
- 1.5A
- Basisteilenummer
- BD135
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