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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
100V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
2V @ 20mA, 5A
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Supplier Device-Gehäuse
SOT-93
Serie
-
Leistung - max
125W
Verpackung
Tube
Verpackung / Gehäuse
TO-218-3
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status
Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang
-
detaillierte Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 10A 125W Through Hole SOT-93
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
1000 @ 5A, 4V
Strom - Collector Cutoff (Max)
1mA
Strom - Kollektor (Ic) (max)
10A

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