BF420-AP
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Produktparameter
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
- 300V
- VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
- 600mV @ 5mA, 30mA
- Transistor-Typ
- NPN
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-92-3
- Serie
- -
- Leistung - max
- 830mW
- Verpackung
- Tape & Box (TB)
- Verpackung / Gehäuse
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Betriebstemperatur
- 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Frequenz - Übergang
- 60MHz
- detaillierte Beschreibung
- Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 500mA 60MHz 830mW Through Hole TO-92-3
- DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
- 50 @ 25mA, 20V
- Strom - Collector Cutoff (Max)
- 10nA (ICBO)
- Strom - Kollektor (Ic) (max)
- 500mA
- Basisteilenummer
- BF420
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