BQ4013MA-85
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Produktparameter
- Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
- 85ns
- Spannungsversorgung
- 4.75 V ~ 5.5 V
- Technologie
- NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Supplier Device-Gehäuse
- 32-DIP Module (18.42x42.8)
- Serie
- -
- Verpackung
- Tray
- Verpackung / Gehäuse
- 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
- Betriebstemperatur
- 0°C ~ 70°C (TA)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Speichertyp
- Non-Volatile
- Speichergröße
- 1Mb (128K x 8)
- Speicherschnittstelle
- Parallel
- Speicherformat
- NVSRAM
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- detaillierte Beschreibung
- NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 85ns 32-DIP Module (18.42x42.8)
- Basisteilenummer
- BQ4013
- Zugriffszeit
- 85ns
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