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Produktparameter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
400V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
3.3V @ 2.5A, 8A
Transistor-Typ
NPN
Supplier Device-Gehäuse
TO-3
Serie
-
Leistung - max
100W
Verpackung
Tube
Verpackung / Gehäuse
TO-204AA, TO-3
Betriebstemperatur
200°C (TJ)
Befestigungsart
Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang
10MHz
detaillierte Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 10A 10MHz 100W Chassis Mount TO-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
15 @ 2.5A, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)
1mA
Strom - Kollektor (Ic) (max)
10A

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