STP13NM60N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
Bleifrei / RoHS-konform
Anfrage Preis & Vorlaufzeit
STP13NM60N sind verfügbar. Wir können STP13NM60N liefern. Verwenden Sie das Angebotsformular, um STP13NM60N-Pirce und Vorlaufzeit anzufordern.Atosn.com ist ein professioneller Händler für elektronische Komponenten. Wir haben einen großen Lagerbestand und können schnell liefern. Kontaktieren Sie uns noch heute und unser Vertriebsmitarbeiter wird Ihnen den Preis und die Versanddetails auf der Teilenummer STP13NM60N mitteilenund technisches Team, wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit Ihnen.
Angebot anfordern
Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-220-3
- Serie
- MDmesh™ II
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 360 mOhm @ 5.5A, 10V
- Verlustleistung (max)
- 90W (Tc)
- Verpackung
- Tube
- Verpackung / Gehäuse
- TO-220-3
- Andere Namen
- 497-8787-5
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 42 Weeks
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Lead free / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 790pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 30nC @ 10V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 600V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 600V 11A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220-3
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 11A (Tc)
Ähnliche Produkte
- STMicroelectronics STP13NM60N
- STP13NM60N-Datenblatt
- STP13NM60N-Datenblatt
- STP13NM60N pdf Datenblatt
- Laden Sie das STP13NM60N-Datenblatt herunter
- STP13NM60N-Bild
- STP13NM60N Teil
- ST STP13NM60N
- STMicroelectronics STP13NM60N