CSD19536KCS
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 3.2V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Supplier Device-Gehäuse
- TO-220-3
- Serie
- NexFET™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 2.7 mOhm @ 100A, 10V
- Verlustleistung (max)
- 375W (Tc)
- Verpackung
- Tube
- Verpackung / Gehäuse
- TO-220-3
- Andere Namen
- 296-37289-5
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart
- Through Hole
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 35 Weeks
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- Request inventory verification / RoHS Compliant
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 12000pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 153nC @ 10V
- Typ FET
- N-Channel
- FET-Merkmal
- -
- Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V, 10V
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 100V
- detaillierte Beschreibung
- N-Channel 100V 150A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- 150A (Ta)
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