CSD87313DMS
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Produktparameter
- VGS (th) (Max) @ Id
- 1.25V @ 250µA
- Supplier Device-Gehäuse
- 8-WSON (3.3x3.3)
- Serie
- NexFET™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- -
- Verpackung / Gehäuse
- 8-PowerWDFN
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Hersteller Standard Vorlaufzeit
- 35 Weeks
- Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 4290pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 28nC @ 4.5V
- Typ FET
- 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- FET-Merkmal
- Standard
- Drain-Source-Spannung (Vdss)
- 30V
- detaillierte Beschreibung
- Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V Surface Mount 8-WSON (3.3x3.3)
- Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
- -
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